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争力荧光损失主要归因于团聚以及表面陷阱的增加。因此，充电引入合适的表面配体来取代OA/OLA可以提高PQDs的PL和稳定性。

此外，技术采用合适的密封剂可以均匀分散PQDs，并防止团聚引起的PL猝灭。【前言】铅卤钙钛矿在光伏、企业光电等诸多领域中也展现了巨大的应用潜力。同时，升竞收购密封剂形成了机械保护，减轻了氧气和湿气的伤害。

目前，争力稳定性差是主要障碍。然而，充电在致密聚合物或无机物涂层之后，导电性会被牺牲。

【图文导读】图1.PQDs应用于pc-LEDs的优势PQDs的本征不稳定性图2.3D钙钛矿图3.2D钙钛矿图4.界面诱导不稳定性环境稳定性图5.光诱导分解图6.氧气诱导分解图7.水分诱导分解图8.热稳定性图9.PQDs不稳定性的示意图和相应的解决方案组分工程图10.A-位掺杂图11.B-位掺杂图12.表面工程基质封装图13.聚合物封装图14.无机物保护图15.多重保护 器件封装图16.封装类型图17.pc-LEDs的发展【总结】卤化铅钙钛矿量子点具有出色的光电特性，技术在诸多光电和光学领域显示出了巨大的应用潜力。

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争力图4 不同层数纳米片的电化学活性面积（ECSA）和电化学阻抗分析（a）电流密度差值与扫描速率的关系。充电(d)和其他Ni基催化剂的性能对比。

随着温度的升高，技术当温度达到180 oC时，得到厚度约为7 nm厚（约10层），尺寸约为50 nm的纳米片。单层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片表现出了优于多层纳米片的OER性能，企业主要得益于少层、企业小尺寸的纳米片有更高的电化学活性面积以及更多的高活性(100)晶面的暴露。